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リサイクルデザイン研究室の田邉匡生教授らが、半導体配線界面の化学構造変化をナノスケールで可視化しました
デザイン工学部・リサイクルデザイン研究室の田邉匡生教授と株式会社東レリサーチセンターは、半導体の銅配線と低誘電率の絶縁膜（Low-k絶縁膜）の境界付近で起こる化学構造の変化を、ナノメートルスケールで直接観察することに成功しました。
研究では、原子間力顕微鏡と赤外分光法を組み合わせた「AFM-IR」を使用。従来の方法では周囲の情報に埋もれていた微小な領域を調べ、絶縁膜の特性を保つために重要な結合の減少や、水酸基に由来する成分の増加を捉えました。
製造工程で材料がどこで、どのように変化するかを詳しく把握することで、半導体材料や製造条件の改善につながることが期待されます。成果は国際学術誌「Journal of Applied Physics」に掲載され、2026年8月5日にオンライン公開されました。